DARMOWA PRZESYŁKA
 |
DLA ZAMÓWIEŃ OD 400PLN nettoOferta dotyczycałego asortymentu |
Kod: AO4606
Niedostępny
569,11 PLN / opak. Cena netto
Kod: BSS84W-7-F
Niedostępny
22,91 PLN / opak. Cena netto
Kod: AO4813
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO4813
Kierunek przewodnictwa: 2x P-MOSFET
Prąd drenu: 7,1A
Moc: 2W
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mOhm
Obudowa: SO8
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 26.69 opak.
180,49 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRF9Z24S
W magazynie: 32 szt.
2,87 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: AO3403
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AO3403
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,2A
Moc: 900mW
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 49.88 opak.
32,55 PLN / opak. Cena netto
Kod: NTF2955T1G
W magazynie: 5928 szt.
1,40 PLN Cena netto
Bestseller
Kod: DMG2305UXQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMG2305UXQ-7
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4,2A
Moc: 1,4W
Napięcie dren-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,04Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 110 opak.
22,65 PLN / opak. Cena netto
Kod: DMP3130LQ-7
Nazwa: Tranzystor
Symbol: DMP3130LQ-7
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 2,4A
Moc: 700mW
Napięcie dren-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: logic level
Zastosowanie: motoryzacja; przemysł
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 148.8 opak.
40,65 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: IRFR5505TRPBF
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRFR5505TRPBF
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: -18A
Moc: 57W
Napięcie dren-źródło: -55V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ohm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Właściwości półprzewodników: HEXFET
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 33 szt.
2,19 PLN Cena netto
Kod: BSS84PH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSS84PH6327
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 0,17A
Moc: 0,36W
Napięcie dren-źródło: 50V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ohm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Zastosowanie: motoryzacja
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 22.6 opak.
24,39 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: NXV65UP
Nazwa: Tranzystor
Symbol: NXV65UP
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Prąd drenu: 2,1A
Moc: 340mW
Napięcie dren-źródło: 20V
Obudowa: SOT23
Producent: NEXPERIA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.9 opak.
19,51 PLN / opak. Cena netto
Kod: IRLML6302TR
W magazynie: 590 szt.
0,62 PLN Cena netto
Kod: AOD407
Nazwa: Tranzystor
Symbol: AOD407
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 10A
Moc: 25W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 115mOhm
Obudowa: DPAK (TO252)
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: ALPHA&OMEGA
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 18 szt.
1,78 PLN Cena netto
Kod: BSP92PH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP92PH6327
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 250V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 20 opak.
61,79 PLN / opak. Cena netto
Kod: SQ2315ES-T1_GE3
Nazwa: Tranzystor
Symbol: SQ2315ES-T1_GE3
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 5A
Moc: 670mW
Napięcie dren-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mOhm
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD powierzchniowy
Zastosowanie: motoryzacja
Producent: VISHAY
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 29.7 opak.
40,65 PLN / opak. Cena netto
Kod: ZXMP6A17E6QTA
Nazwa: Tranzystor
Symbol: ZXMP6A17E6QTA
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 3A
Moc: 1,92W
Napięcie dren-źródło: 60V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 120mOhm
Obudowa: SOT26-6
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: DIODES INCORPORATED
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 2995 szt.
1,30 PLN Cena netto
Kod: BSP316PH6327
Nazwa: Tranzystor
Symbol: BSP316PH6327
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 680mA
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło: 100V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ohm
Obudowa: SOT223
Montaż: SMD powierzchniowy
Producent: INFINEON
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 9.8 opak.
48,78 PLN / opak. Cena netto
Bestseller
Kod: IRF9630S
Nazwa: Tranzystor
Symbol: IRF9630S
Kierunek przewodnictwa: P-MOSFET
Typ tranzystora: unipolarny
Prąd drenu: 4A
Moc: 74W
Napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ohm
Obudowa: D2PAK (TO263)
Montaż: SMD powierzchniowy
Certyfikaty: RoHS
W magazynie: 37 szt.
2,76 PLN Cena netto
NIP: 622 010 59 74, REGON: 250432504 |
Informacja |
Wysyłka |
Bezpieczeństwo |
